供應(yīng)信息
壓敏電阻采購，就選源林電子，個性化定制
氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應(yīng)用于過電壓保護(hù)、浪涌吸收、過電流泄放等方面,是防護(hù)電氣電子設(shè)備因受雷電閃擊及其他瞬態(tài)電磁干擾造成傳導(dǎo)過電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護(hù)效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統(tǒng)或設(shè)備運(yùn)行中必然存在老化劣化現(xiàn)象,
故必須對其進(jìn)行定期檢測,以防止老化劣化產(chǎn)品仍工作在系統(tǒng)或設(shè)備中。然而,目前檢測方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I
leakage兩個參數(shù)都存在拐點(diǎn)效應(yīng),即只有當(dāng)MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會出現(xiàn)顯著變化;而在這個拐點(diǎn)之前U1mA和
Ileakage都符合SJ/T10349-93測試標(biāo)準(zhǔn)的要求[8],這就給檢測結(jié)果帶來不確定性。某個產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時更換,但U1mA和Ileakage檢測值仍然合格。
源林電子壓敏電阻選型電話就在圖片中，歡迎來電！
壓敏電阻采購，就選源林電子，型號豐富
壓敏電壓U1mA
壓敏電阻的線性向非線性轉(zhuǎn)變的電壓轉(zhuǎn)變時，位于非線性的起點(diǎn)電壓正好在I-V曲線的的拐點(diǎn)上，該電壓確定為元件的啟動電壓，也稱為壓敏電壓，是由阻性電流測試而得的。由于I-V曲線的轉(zhuǎn)變點(diǎn)清晰度不明顯，多數(shù)情況下是在通1mA電流時測量的，用U1mA來表示。對于一定尺寸規(guī)格的ZnO壓敏電阻片，可通過調(diào)節(jié)配方和元件的幾何尺寸來改變其壓敏電壓。亦有使用10mA電流測定的電壓作為壓敏電壓者，以及使用標(biāo)稱電流測試者，標(biāo)稱電壓定義為0.5mA/cm2，電流密度測定的電場強(qiáng)度E0.5表示，對于大多數(shù)壓敏電阻器而言，這個值更接近非線性的起始點(diǎn)。3. 漏電流IL壓敏電阻器進(jìn)入擊穿區(qū)之前在正常工作電壓下所流過的電流，稱為漏電流IL。漏電流主要由三部分貢獻(xiàn)：元件的容性電流，元件的表面態(tài)電流和元件晶界電流。一般對漏電流的測量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端，此時流過元件的電流即為漏電流。根據(jù)壓敏電阻器在預(yù)擊穿區(qū)的導(dǎo)電機(jī)理，漏電流的大小明顯地受到環(huán)境溫度的影響。當(dāng)環(huán)境溫度較高時，漏電流較大；反之，漏電流較小?？梢酝ㄟ^配方的調(diào)整及制造工藝的改善來減小壓敏電阻器的漏電流。研究低壓元件的漏電流來源是很重要的，為了促進(jìn)ZnO晶粒的長大，低壓元件中通常會添加大量的TiO2，過量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]～[9]，在元件性能測試時容易引入假象，例如壓敏電壓和啟動電壓偏離較大。測試元件的非線性時，我們希望漏電流以通過晶界的電流為主。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象，初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4～20μA內(nèi)，放置8～24h后，元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線性并沒有被破壞，但卻表現(xiàn)出非線性低，壓敏電壓也稍有降低的表象。
由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！
壓敏電阻采購，就選源林電子，自有技術(shù)團(tuán)隊
氧化鋅壓敏電阻器已經(jīng)越來越多地走進(jìn)了人們的視線，在通訊供電以及智能產(chǎn)品上都能夠看見到他的身影。那么這種壓敏電阻器在應(yīng)用過程中的優(yōu)點(diǎn)有哪一些呢，讓我們來看看吧
(1) 通流容量大
(2) 限制電壓低
(3) 響應(yīng)速度快
(4) 無續(xù)流
(5) 對稱的伏安特性(即產(chǎn)品無極性)
(6) 電壓溫度系數(shù)低
源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊，廠家直銷！
您好，歡迎蒞臨源林電子，歡迎咨詢...
 觸屏版二維碼 |
